1．太陽(yáng)能概況

太陽(yáng)能是各種可再生能源中zui重要的基本能源，生物質(zhì)能、風(fēng)能、海洋能、水能等都來(lái)自太陽(yáng)能，廣義地說(shuō)，太陽(yáng)能包含以上各種可再生能源。太陽(yáng)能作為可再生能源的一種，則是指太陽(yáng)能的直接轉化和利用。通過(guò)轉換裝置把太陽(yáng)輻射能轉換成熱能利用的屬于太陽(yáng)能熱利用技術(shù)，再利用熱能進(jìn)行發(fā)電的稱(chēng)為太陽(yáng)能熱發(fā)電，也屬于這一技術(shù)領(lǐng)域；通過(guò)轉換裝置把太陽(yáng)輻射能轉換成電能利用的屬于太陽(yáng)能光發(fā)電技術(shù)，光電轉換裝置通常是利用半導體器件的光伏效應原理進(jìn)行光電轉換的，因此又稱(chēng)太陽(yáng)能光伏技術(shù)。

二十世紀50年代，太陽(yáng)能利用領(lǐng)域出現了兩項重大技術(shù)突破：一是1954年美國貝爾實(shí)驗室研制出6％的實(shí)用型單晶硅電池，二是1955年以色列Tabor提出選擇性吸收表面概念和理論并研制成功選擇性太陽(yáng)吸收涂層。這兩項技術(shù)突破為太陽(yáng)能利用進(jìn)入現代發(fā)展時(shí)期奠定了技術(shù)基礎。

70年代以來(lái)，鑒于常規能源供給的有限性和環(huán)保壓力的增加，世界上許多國家掀起了開(kāi)發(fā)利用太陽(yáng)能和可再生能源的熱潮。1973年，美國制定了政府級的陽(yáng)光發(fā)電計劃，1980年又正式將光伏發(fā)電列入公共電力規劃，累計投入達8億多美元。1992年，美國政府頒布了新的光伏發(fā)電計劃，制定了宏偉的發(fā)展目標。日本在70年代制定了“陽(yáng)光計劃”，1993年將“月光計劃”（節能計劃）、“環(huán)境計劃”、“陽(yáng)光計劃”合并成“新陽(yáng)光計劃”。德國等歐共體國家及一些發(fā)展中國家也紛紛制定了相應的發(fā)展計劃。90年代以來(lái)聯(lián)合國召開(kāi)了一系列有各國領(lǐng)導人參加的高峰會(huì )議，討論和制定世界太陽(yáng)能戰略規劃、太陽(yáng)能公約，設立太陽(yáng)能基金等，推動(dòng)太陽(yáng)能和可再生能源的開(kāi)發(fā)利用。開(kāi)發(fā)利用太陽(yáng)能和可再生能源成為社會(huì )的一大主題和共同行動(dòng)，成為各國制定可持續發(fā)展戰略的重要內容。

自“六五”以來(lái)我國政府一直把研究開(kāi)發(fā)太陽(yáng)能和可再生能源技術(shù)列入國家科技攻關(guān)計劃，大大推動(dòng)了我國太陽(yáng)能和可再生能源技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

     二十多年來(lái)，太陽(yáng)能利用技術(shù)在研究開(kāi)發(fā)、商業(yè)化生產(chǎn)、市場(chǎng)開(kāi)拓方面都獲得了長(cháng)足發(fā)展，成為世界快速、穩定發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)之一。返回11

2．光伏效應

光生伏應簡(jiǎn)稱(chēng)為光伏效應，指光照使不均勻半導體或半導體與金屬組合的不同部位之間產(chǎn)生電位差的現象。

    產(chǎn)生這種電位差的機理有好幾種，主要的一種是由于阻擋層的存在。以下以P-N結為例說(shuō)明。

熱平衡態(tài)下的P-N結

P-N結的形成：

    同質(zhì)結可用一塊半導體經(jīng)摻雜形成P區和N區。由于雜質(zhì)的激活能量ΔE很小，在室溫下雜質(zhì)差不多都電離成受主離子NA-和施主離子ND+。在PN區交界面處因存在載流子的濃度差，故彼此要向對方擴散。設想在結形成的一瞬間，在N區的電子為多子，在P區的電子為少子，使電子由N區流入P區，電子與空穴相遇又要發(fā)生復合，這樣在原來(lái)是N區的結面附近電子變得很少，剩下未經(jīng)中和的施主離子ND+形成正的空間電荷。同樣，空穴由P區擴散到N區后，由不能運動(dòng)的受主離子NA-形成負的空間電荷。在P區與N區界面兩側產(chǎn)生不能移動(dòng)的離子區（也稱(chēng)耗盡區、空間電荷區、阻擋層），于是出現空間電偶層，形成內電場(chǎng)（稱(chēng)內建電場(chǎng)）此電場(chǎng)對兩區多子的擴散有抵制作用，而對少子的漂移有幫助作用，直到擴散流等于漂移流時(shí)達到平衡，在界面兩側建立起穩定的內建電場(chǎng)。

P-N結能帶與接觸電勢差：

    在熱平衡條件下，結區有統一的EF；在遠離結區的部位，EC、EF、Eν之間的關(guān)系與結形成前狀態(tài)相同。

    從能帶圖看，N型、P型半導體單獨存在時(shí)，EFN與EFP有一定差值。當N型與P型兩者緊密接觸時(shí)，電子要從費米能級高的一方向費米能級低的一方流動(dòng)，空穴流動(dòng)的方向相反。同時(shí)產(chǎn)生內建電場(chǎng)，內建電場(chǎng)方向為從N區指向P區。在內建電場(chǎng)作用下，EFN將連同整個(gè)N區能帶一起下移，EFP將連同整個(gè)P區能帶一起上移，直至將費米能級拉平為EFN=EFP，載流子停止流動(dòng)為止。在結區這時(shí)導帶與價(jià)帶則發(fā)生相應的彎曲，形成勢壘。勢壘高度等于N型、P型半導體單獨存在時(shí)費米能級之差：

qUD=EFN-EFP

得

UD=(EFN-EFP)/q

q：電子電量

UD：接觸電勢差或內建電勢

對于在耗盡區以外的狀態(tài)：

UD=(KT/q)ln(NAND/ni2)

NA、ND、ni：受主、施主、本征載流子濃度。

可見(jiàn)UD與摻雜濃度有關(guān)。在一定溫度下，P-N結兩邊摻雜濃度越高，UD越大。

禁帶寬的材料，ni較小，故UD也大。

光照下的P-N結

P-N結光電效應：                

    當P-N結受光照時(shí)，樣品對光子的本征吸收和非本征吸收都將產(chǎn)生光生載流子。但能引起光伏效應的只能是本征吸收所激發(fā)的少數載流子。因P區產(chǎn)生的光生空穴，N區產(chǎn)生的光生電子屬多子，都被勢壘阻擋而不能過(guò)結。只有P區的光生電子和N區的光生空穴和結區的電子空穴對（少子）擴散到結電場(chǎng)附近時(shí)能在內建電場(chǎng)作用下漂移過(guò)結。光生電子被拉向N區，光生空穴被拉向P區，即電子空穴對被內建電場(chǎng)分離。這導致在N區邊界附近有光生電子積累，在P區邊界附近有光生空穴積累。它們產(chǎn)生一個(gè)與熱平衡P-N結的內建電場(chǎng)方向相反的光生電場(chǎng)，其方向由P區指向N區。此電場(chǎng)使勢壘降低，其減小量即光生電勢差，P端正，N端負。于是有結電流由P區流向N區，其方向與光電流相反。

    實(shí)際上，并非所產(chǎn)生的全部光生載流子都對光生電流有貢獻。設N區中空穴在壽命τp的時(shí)間內擴散距離為L(cháng)p，P區中電子在壽命τn的時(shí)間內擴散距離為L(cháng)n。Ln+Lp=L遠大于P-N結本身的寬度。故可以認為在結附近平均擴散距離L內所產(chǎn)生的光生載流子都對光電流有貢獻。而產(chǎn)生的位置距離結區超過(guò)L的電子空穴對，在擴散過(guò)程中將全部復合掉，對P-N結光電效應無(wú)貢獻。

光照下的P-N結電流方程：

    與熱平衡時(shí)比較，有光照時(shí)，P-N結內將產(chǎn)生一個(gè)附加電流（光電流）Ip，其方向與P-N結反向飽和電流I0相同，一般Ip≥I0。此時(shí)

I=I0eqU/KT - (I0+Ip)

令I(lǐng)p=SE，則

I=I0eqU/KT - (I0+SE)

開(kāi)路電壓Uoc：

    光照下的P-N結外電路開(kāi)路時(shí)P端對N端的電壓，即上述電流方程中I=0時(shí)的U值：

0=I0eqU/KT - (I0+SE)

Uoc=(KT/q)ln(SE+I0)/I0≈(KT/q)ln(SE/I0)

短路電流Isc：

    光照下的P-N結，外電路短路時(shí)，從P端流出，經(jīng)過(guò)外電路，從N端流入的電流稱(chēng)為短路電流Isc。即上述電流方程中U=0時(shí)的I值，得Isc=SE。

    Uoc與Isc是光照下P-N結的兩個(gè)重要參數，在一定溫度下，Uoc與光照度E成對數關(guān)系，但zui大值不超過(guò)接觸電勢差UD。弱光照下，Isc與E有線(xiàn)性關(guān)系。

a)無(wú)光照時(shí)熱平衡態(tài)，NP型半導體有統一的費米能級，勢壘高度為qUD=EFN-EFP。

b)穩定光照下P-N結外電路開(kāi)路，由于光生載流子積累而出現光生電壓Uoc不再有統一費米能級，勢壘高度為q(UD-Uoc)。

c)穩定光照下P-N結外電路短路，P-N結兩端無(wú)光生電壓，勢壘高度為qUD，光生電子空穴對被內建電場(chǎng)分離后流入外電路形成短路電流。

d)有光照有負載，一部分光電流在負載上建立起電壓Uf，另一部分光電流被P-N結因正向偏壓引起的正向電流抵消，勢壘高度為q(UD-Uf)。